CSD19538Q2T, МОП-транзистор 100V, 49mOhm NexFET Power МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 100V, 49mOhm NexFET Power МОП-транзистор
Артикул:
CSD19538Q2T
Производитель:
Описание CSD19538Q2T
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | WSON-FET-6 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | CSD19538Q2 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Вес изделия | 6 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 14.4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 59 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.2 V |
| Qg - заряд затвора | 4.3 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 0.75 mm |
| Длина | 2 mm |
| Ширина | 2 mm |
| Время спада | 2 ns |
| Время нарастания | 3 ns |
| Типичное время задержки выключения | 7 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара