NTMFS5C410NT1G, МОП-транзистор T6D3F 40V NFET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NTMFS5C410NT1G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | SO-FL-8 |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 166 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 173 ns |
| Время нарастания | 162 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 300 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 760 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 227 ns |
| Типичное время задержки при включении | 54 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 86 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 190 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара