PSMN9R1-30YL.115, МОП-транзистор N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание PSMN9R1-30YL.115
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Вес изделия | 74 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | LFPAK56-4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 57 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 8.4 nC |
| Время спада | 7 ns |
| Время нарастания | 20 ns |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара