STGWT60H65DFB, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Код товара: 10147512
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание STGWT60H65DFB
| Упаковка / блок | TO-3P |
|---|---|
| Серия | STGWT60H65DFB |
| Вес изделия | 6.756 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка STGWT60H65DFB , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 676 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 316 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2224 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
Почта России
от 10 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара