STP11N65M2, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STP11N65M2
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Серия | STP11N65M2 |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh II Plus |
| Продукт | Power MOSFETs |
| Pd - рассеивание мощности | 85 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 670 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 12.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 15 ns |
| Время нарастания | 7.5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара