IRF300P227, МОП-транзистор IFX OPTIMOS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IRF300P227
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Упаковка / блок | TO-247AC-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 28 ns |
| Время нарастания | 43 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 313 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 107 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 51 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 62 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара