IXTP8N65X2, МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXTP8N65X2
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | X2-Class |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 350 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Время нарастания | 28 ns |
| Время спада | 24 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 53 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.8 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара