STF12N50M2, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Описание STF12N50M2
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | STF12N50M2 |
Вес изделия | 2.300 g |
ECCN | EAR99 |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 85 W |
Технология | Si |
Время спада | 34.5 ns |
Время нарастания | 10.5 ns |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 325 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Qg - заряд затвора | 15 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Типичное время задержки выключения | 8 ns |
Типичное время задержки при включении | 13.5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара