HN1C01FU-GR,LF, Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Артикул:
HN1C01FU-GR,LF
Производитель:
Описание HN1C01FU-GR,LF
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
---|---|
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Серия | HN1C01 |
Вес изделия | 7.500 mg |
ECCN | EAR99 |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Технология | Si |
Конфигурация | Dual |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 at 2 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара