GCMS080A120S1-E1, Дискретные полупроводниковые модули SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 80 mohm
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание GCMS080A120S1-E1
| Тип | SiC Power Module |
|---|---|
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Технология | SiC |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Время нарастания | 53 ns |
| Время спада | 35 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 640 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel and SBD |
| Vf - прямое напряжение | 1.54 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара