STB33N65M2, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Код товара: 10138357
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
306,88 руб.
Нет в наличии
Описание STB33N65M2
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | STB33N65M2 |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Вес изделия | 4 g |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 41.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Время спада | 9 ns |
| Время нарастания | 11.5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 72.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13.5 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка STB33N65M2 , МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 755 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2240 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара