IXTQ30N60L2, МОП-транзистор 30 Amps 600V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXTQ30N60L2
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXTQ30N60 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Linear L2 Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Высота | 20.3 mm |
| Длина | 15.8 mm |
| Ширина | 4.9 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 540 W |
| Коммерческое обозначение | Linear L2 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 240 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 335 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 43 ns |
| Время нарастания | 65 ns |
| Типичное время задержки выключения | 123 ns |
| Типичное время задержки при включении | 43 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 10 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара