STF10N80K5, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STF10N80K5
| Серия | STF10N80K5 |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Вес изделия | 330 mg |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Время спада | 14 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 470 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 22 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14.5 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара