IXFK120N30P3, МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode
Код товара: 10133804
Цена от:
1 214,47 руб.
Нет в наличии
Описание IXFK120N30P3
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Серия | IXFK120N30 |
Упаковка | Tube |
ECCN | EAR99 |
Вес изделия | 7.500 g |
Pd - рассеивание мощности | 1.13 mW |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Технология | Si |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Qg - заряд затвора | 150 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFK120N30P3 , МОП-транзистор N-Channel: Power МОП-транзистор w/Fast Diode
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара