FGAF20N60SMD, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V 40 A 62.5 W
Код товара: 10132070
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание FGAF20N60SMD
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | FGAF20N60SMD |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | TO-3PF |
| Вес изделия | 7 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка FGAF20N60SMD , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V 40 A 62.5 W
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара