IXFB170N30P, МОП-транзистор Polar Power МОП-транзистор HiPerFET
Код товара: 10127859
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
4 675,36 руб.
Нет в наличии
Описание IXFB170N30P
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFB170N30 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | PLUS-264-3 |
| Высота | 26.59 mm |
| Длина | 20.29 mm |
| Ширина | 5.31 mm |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 kW |
| Коммерческое обозначение | Polar, HiPerFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 170 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 18 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 258 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 16 ns |
| Время нарастания | 29 ns |
| Типичное время задержки выключения | 79 ns |
| Типичное время задержки при включении | 41 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 57 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFB170N30P , МОП-транзистор Polar Power МОП-транзистор HiPerFET
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 874 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 773 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара