IXFR26N120P, МОП-транзистор 32 Amps 1200V 0.46 Rds
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXFR26N120P
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFR26N120 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Высота | 21.34 mm |
| Длина | 16.13 mm |
| Ширина | 5.21 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 320 W |
| Коммерческое обозначение | Polar, HiPerFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
| Qg - заряд затвора | 225 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 58 ns |
| Время нарастания | 55 ns |
| Типичное время задержки выключения | 76 ns |
| Типичное время задержки при включении | 56 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара