VN0550N3-G-P013, МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
МОП-транзистор N-CH Enhancmnt Mode МОП-транзистор
Артикул:
VN0550N3-G-P013
Производитель:
Описание VN0550N3-G-P013
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Длина | 5.21 mm |
Ширина | 4.19 mm |
Высота | 5.33 mm |
Вес изделия | 453.600 mg |
ECCN | EAR99 |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка | Ammo Pack |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Время спада | 10 ns |
Id - непрерывный ток утечки | 50 mA |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 Ohms |
Время нарастания | 15 ns |
Типичное время задержки выключения | 10 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара