IXFB30N120P, МОП-транзистор 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Код товара: 10125291
Цена от:
7 598,80 руб.
Нет в наличии
Описание IXFB30N120P
Вес изделия | 1.600 g |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Серия | IXFB30N120P |
Упаковка | Tube |
Тип | Polar HiPerFET Power MOSFET |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | PLUS-264-3 |
Высота | 26.59 mm |
Длина | 20.29 mm |
Ширина | 5.31 mm |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 kW |
Коммерческое обозначение | Polar, HiPerFET |
Полярность транзистора | N-Channel |
Количество каналов | 1 Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 6.5 V |
Qg - заряд затвора | 310 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Время спада | 56 ns |
Время нарастания | 60 ns |
Типичное время задержки выключения | 95 ns |
Типичное время задержки при включении | 57 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFB30N120P , МОП-транзистор 30 Amps 1200V 0.35 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара