IXXK110N65B4H1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Артикул:
IXXK110N65B4H1
Производитель:
Описание IXXK110N65B4H1
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | Trench - 650V - 1200V GenX23 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 10.600 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Pd - рассеивание мощности | 880 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 240 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 110 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара