FP25R12U1T4, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 25A 1200V
Артикул:
FP25R12U1T4
Производитель:
Описание FP25R12U1T4
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Серия | IGBT4 |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 34 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Упаковка / блок | SmartPIM1 |
| Конфигурация | PIM 3-Phase Input Rectifier |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 39 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара