BSM180D12P2C101, Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 180A (no Diode)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 180A (no Diode)
Артикул:
BSM180D12P2C101
Производитель:
Описание BSM180D12P2C101
| Вид монтажа | Screw Mount |
|---|---|
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | BSMx |
| Упаковка | Bulk |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1130 W |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power Semiconductor Modules |
| Высота | 21.1 mm |
| Длина | 122 mm |
| Ширина | 45.6 mm |
| Вес изделия | 50 g |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 180 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 22 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара