IGW100N60H3, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop
Артикул:
IGW100N60H3
Производитель:
Описание IGW100N60H3
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | HighSpeed 3 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Технология | Si |
Вид монтажа | Through Hole |
Вес изделия | 6 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Конфигурация | Single |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Pd - рассеивание мощности | 714 W |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 140 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара