IPW65R019C7, МОП-транзистор N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
Артикул:
IPW65R019C7
Производитель:
Описание IPW65R019C7
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | CoolMOS C7 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 38 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 16.13 mm |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Ширина | 5.21 mm |
| Высота | 21.1 mm |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 5 ns |
| Время нарастания | 27 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 446 W |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 75 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 19 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Qg - заряд затвора | 215 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 106 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара