LND150N3-G, МОП-транзистор 500V 1KOhm
Код товара: 10119118
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
54,21 руб.
Нет в наличии
Описание LND150N3-G
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Длина | 5.21 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Упаковка | Bulk |
| Тип | FET |
| Вес изделия | 220 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 5.33 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 740 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 kOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 1.3 us |
| Время нарастания | 0.45 us |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 90 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1 mOhms |
Способы доставки в Калининград
Доставка LND150N3-G , МОП-транзистор 500V 1KOhm
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара