IXFK300N20X3, МОП-транзистор N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
Код товара: 10117726
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
3 656,88 руб.
Нет в наличии
Описание IXFK300N20X3
| Вес изделия | 10 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1250 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 300 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 375 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 43 ns |
| Типичное время задержки выключения | 184 ns |
| Типичное время задержки при включении | 44 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFK300N20X3 , МОП-транзистор N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара