BCX56.115, Биполярные транзисторы - BJT NPN 80V 1A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание BCX56.115
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Длина | 4.6 mm |
| Ширина | 2.6 mm |
| Высота | 1.6 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 130.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1250 mW |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 63 at 5 mA, 2 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара