GHXS030A120S-D1E, Дискретные полупроводниковые модули SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
Код товара: 10114960
Изображения служат только для ознакомления.
Цена от:
20 309,86 руб.
Нет в наличии
Описание GHXS030A120S-D1E
| Технология | SiC |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Продукт | Schottky Diode Modules |
| Тип | SiC Power Module |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Vf - прямое напряжение | 1.5 V |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка GHXS030A120S-D1E , Дискретные полупроводниковые модули SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара