IXFH110N10P, МОП-транзистор 110 Amps 100V 0.015 Rds
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXFH110N10P
| Вес изделия | 6.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFH110N10P |
| Упаковка | Tube |
| Тип | PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 480 W |
| Коммерческое обозначение | PolarHT, HiPerFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 110 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 25 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Типичное время задержки выключения | 65 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара