NXH100B120H3Q0STG, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins, TIM

Name: NXH100B120H3Q0STG, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins, TIM
Brand: ON Semiconductor
SKU: 10113465
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins, TIM

Код товара: 10113465

Дата обновления: 28.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка NXH100B120H3Q0STG , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins, TIM в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание NXH100B120H3Q0STG

Продукт	IGBT Silicon Carbide Modules
ECCN	EAR99
Минимальная рабочая температура	40 C
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Вид монтажа	Press Fit
Упаковка	Tray
Технология	SiC
Упаковка / блок	Q0BOOST
Pd - рассеивание мощности	186 W
Конфигурация	Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.77 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	50 A
Ток утечки затвор-эмиттер	800 nA

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← JCB0305S24 744062002 →