FS50R07W1E3_B11A, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASY
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASY
Артикул:
FS50R07W1E3_B11A
Производитель:
Описание FS50R07W1E3_B11A
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | FS50R07W1 |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 24 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | EasyPack1B |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Pd - рассеивание мощности | 205 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 70 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара