BSM180D12P3C007, Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
Код товара: 10109239
Цена от:
115 375,44 руб.
Нет в наличии
Описание BSM180D12P3C007
| Технология | SiC |
|---|---|
| Серия | BSMx |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 302.171 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Упаковка / блок | Module |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Конфигурация | Half-Bridge |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Продукт | Power Semiconductor Modules |
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Pd - рассеивание мощности | 880 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 180 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4 V, 22 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
| Время спада | 50 ns |
| Время нарастания | 70 ns |
| Типичное время задержки выключения | 165 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
| Типичная величина задержки | 50 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка BSM180D12P3C007 , Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара