QSB363YR, Фототранзисторы Phototransistor Si Infrared
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание QSB363YR
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | QSB363 |
| Минимальная рабочая температура | 25 C |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Высота | 3 mm |
| Длина | 2.7 mm |
| Упаковка / блок | T-3/4 |
| Тип | Photo Transistor |
| Ширина | 2.2 mm |
| Вес изделия | 90 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 75 mW |
| Время спада | 15 us |
| Время нарастания | 15 us |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Цвет/форма линзы | Black Transparent |
| Рабочее напряжение питания | 5 V |
| Пиковая длина волны | 940 nm |
| Угол половинной интенсивности | 12 deg |
| Темновой ток | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара