APT75GN60LDQ3G, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APT75GN60LDQ3G
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 536 W |
| Вес изделия | 10.600 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 175 C |
| Высота | 5.21 mm |
| Длина | 26.49 mm |
| Ширина | 20.5 mm |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.45 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 155 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 155 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 155 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара