IPB019N08N3 G, МОП-транзистор N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
МОП-транзистор N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Артикул:
IPB019N08N3 G
Производитель:
Описание IPB019N08N3 G
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Серия | OptiMOS 3 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вес изделия | 1.600 g |
ECCN | EAR99 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Длина | 10 mm |
Коммерческое обозначение | OptiMOS |
Ширина | 9.25 mm |
Высота | 4.4 mm |
Упаковка / блок | TO-263-7 |
Конфигурация | Single |
Время спада | 33 ns |
Время нарастания | 73 ns |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Технология | Si |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
Id - непрерывный ток утечки | 180 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Qg - заряд затвора | 206 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 86 ns |
Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 103 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара