APTGT50DH60T1G, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
Код товара: 10101887
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
9 999,93 руб.
Нет в наличии
Описание APTGT50DH60T1G
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Вес изделия | 80 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 100 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SP1-12 |
| Pd - рассеивание мощности | 176 W |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка APTGT50DH60T1G , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
Boxberry
от 2 раб. дней
от 221 ₽
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 316 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 1928 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 473 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 138 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара