APT75GN120JDQ3, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227
Описание APT75GN120JDQ3
Упаковка | Tube |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Технология | Si |
Высота | 9.6 mm |
Длина | 38.2 mm |
Ширина | 25.4 mm |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Вес изделия | 30 g |
ECCN | EAR99 |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Упаковка / блок | SOT-227-4 |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Непрерывный коллекторный ток | 124 A |
Pd - рассеивание мощности | 379 W |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 124 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 124 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 600 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара