HMC-ALH444-SX, РЧ-усилитель GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 1 - 12 GHz
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
РЧ-усилитель GaAs HEMT WBand lo Noise amp, 1 - 12 GHz
Артикул:
HMC-ALH444-SX
Производитель:
Описание HMC-ALH444-SX
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
|---|---|
| Серия | HMC-ALH444G |
| Упаковка | Gel Pack |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Технология | GaAs |
| Тип | Low Noise Amplifier |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 11.688 g |
| Упаковка / блок | Die |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Рабочее напряжение питания | 5 V |
| Рабочая частота | 1 GHz to 12 GHz |
| Рабочий ток источника питания | 55 mA |
| NF - коэффициент шумов | 1.5 dB |
| Усиление | 17 dB |
| OIP3 - перехват составляющих третьего порядка | 28 dBm |
| P1dB - точка сжатия | 19 dBm |
| Входные потери на отражение | 10 dB |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара