APT80GP60J, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APT80GP60J
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | ISOTOP-4 |
| Pd - рассеивание мощности | 462 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 151 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара