TH58BYG3S0HBAI6, Флеш-память NAND 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание TH58BYG3S0HBAI6
| ECCN | 3A991 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | FBGA-67 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Упаковка | Tray |
| Продукт | NAND Flash |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Напряжение питания - макс. | 30 mA, 1.95 V |
| Напряжение питания - мин. | 1.7 V |
| Тип интерфейса | Parallel |
| Ширина шины данных | 8 bit |
| Размер памяти | 8 Gbit |
| Организация | 1 G x 8 |
| Тип памяти | NAND |
| Активный ток считывания — макс. | 30 mA |
| Тип синхронизации | Synchronous |
| Быстродействие | 25 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара