IXFL100N50P, МОП-транзистор tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
Код товара: 10094936
Цена от:
2 417,81 руб.
Нет в наличии
Описание IXFL100N50P
Упаковка | Tube |
---|---|
Серия | IXFL100N50 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Высота | 26.42 mm |
Длина | 20.29 mm |
Технология | Si |
Тип | PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264 |
Ширина | 5.21 mm |
Вид монтажа | Through Hole |
Вес изделия | 7.500 g |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | TO-264-3 |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Количество каналов | 1 Channel |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Id - непрерывный ток утечки | 70 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 52 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Qg - заряд затвора | 240 nC |
Pd - рассеивание мощности | 625 W |
Канальный режим | Enhancement |
Конфигурация | Single |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |
Время спада | 26 ns |
Время нарастания | 29 ns |
Типичное время задержки выключения | 110 ns |
Типичное время задержки при включении | 36 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFL100N50P , МОП-транзистор tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 874 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 773 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара