2SAR522EBTL, Биполярные транзисторы - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor

Код товара: 10094807

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
2SAR522EBTL
Производитель:

Описание 2SAR522EBTL

Вид монтажаSMD/SMT
Упаковка / блокSOT-416FL-3
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Серия2SAR522EB
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Pd - рассеивание мощности150 mW
ECCNEAR99
ТехнологияSi
Вес изделия6 mg
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораPNP
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Непрерывный коллекторный ток200 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)20 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.560
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)350 MHz
Максимальный постоянный ток коллектора200 mA
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер120 mV

Способы доставки в Калининград

Доставка 2SAR522EBTL , Биполярные транзисторы - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 802
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2299
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.