IXTJ6N150, МОП-транзистор High Voltage Power МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXTJ6N150
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | IXTJ6N150 |
| Упаковка | Tube |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Вес изделия | 1.600 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.5 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.85 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 67 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара