TC58NYG1S3HBAI6, Флеш-память NAND 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Описание TC58NYG1S3HBAI6
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Упаковка / блок | VFBGA-67 |
Напряжение питания - макс. | 30 mA, 1.95 V |
Напряжение питания - мин. | 1.7 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 85 C |
Упаковка | Tray |
Вес изделия | 95 mg |
ECCN | 3A991 |
Чувствительный к влажности | Yes |
Тип интерфейса | Parallel |
Размер памяти | 2 Gbit |
Ширина шины данных | 8 bit |
Тип памяти | NAND |
Организация | 256 M x 8 |
Активный ток считывания — макс. | 30 mA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара