FS20R06VE3, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
Артикул:
FS20R06VE3
Производитель:
Описание FS20R06VE3
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 10 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | Module |
| Конфигурация | IGBT-Inverter |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Pd - рассеивание мощности | 71.5 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 25 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара