IXGH10N170, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 4 V Rds

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 4 V Rds
Код товара: 10087129
Дата обновления: 28.02.2022 08:20
Доставка IXGH10N170 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 4 V Rds в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание IXGH10N170

Вес изделия6.500 g
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
СерияIXGH10N170
УпаковкаTube
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
Упаковка / блокTO-247AD-3
Высота21.46 mm
Длина16.26 mm
Ширина5.3 mm
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1700 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.20 A