IXBF9N160G, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600V 1600V 9A
Код товара: 10087080
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 074,63 руб.
Нет в наличии
Описание IXBF9N160G
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | IXBF9N160G |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | ISOPLUS i4-PAC-3 |
| Высота | 20.88 mm |
| Длина | 19.91 mm |
| Ширина | 5.03 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | BIMOSFET |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4.9 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 7 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 7 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXBF9N160G , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600V 1600V 9A
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара