IXBF9N160G, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600V 1600V 9A
Код товара: 10087080
Цена от:
1 074,63 руб.
Нет в наличии
Описание IXBF9N160G
ECCN | EAR99 |
---|---|
Вид монтажа | SMD/SMT |
Серия | IXBF9N160G |
Упаковка | Tube |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | ISOPLUS i4-PAC-3 |
Высота | 20.88 mm |
Длина | 19.91 mm |
Ширина | 5.03 mm |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Коммерческое обозначение | BIMOSFET |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4.9 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 7 A |
Непрерывный коллекторный ток | 7 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXBF9N160G , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600V 1600V 9A
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара