IXFN210N20P, Дискретные полупроводниковые модули 188 Amps 200V 0.0105 Rds

Код товара: 10086898

Изображения служат только для ознакомления.

Наименование:
IXFN210N20P
Производитель:

Описание IXFN210N20P

СерияHiPerFET
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Упаковка / блокSOT-227-4
УпаковкаTube
Коммерческое обозначениеHiPerFET
Вес изделия30 g
ECCNEAR99
Вид монтажаChassis Mount
ТехнологияSi
Pd - рассеивание мощности1.07 kW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораN-Channel
Количество каналов1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Id - непрерывный ток утечки188 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток10.5 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V

Способы доставки в Калининград

Доставка IXFN210N20P , Дискретные полупроводниковые модули 188 Amps 200V 0.0105 Rds в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.