IXFN210N20P, Дискретные полупроводниковые модули 188 Amps 200V 0.0105 Rds
Код товара: 10086898
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
5 588,35 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN210N20P
| Серия | HiPerFET |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Упаковка | Tube |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1.07 kW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 188 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFN210N20P , Дискретные полупроводниковые модули 188 Amps 200V 0.0105 Rds
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара