IXDH20N120D1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1200V
Код товара: 10086399
Цена от:
727,67 руб.
Нет в наличии
Описание IXDH20N120D1
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Серия | IXDH20N120 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка | Tube |
Вес изделия | 6.500 g |
ECCN | EAR99 |
Длина | 16.26 mm |
Технология | Si |
Ширина | 5.3 mm |
Высота | 21.46 mm |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Pd - рассеивание мощности | 200 W |
Непрерывный коллекторный ток | 38 A |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.4 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 38 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 500 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXDH20N120D1 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1200V
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара