NXH160T120L2Q2F2S1G, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A

Name: NXH160T120L2Q2F2S1G, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A
Brand: ON Semiconductor
SKU: 10082956
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A

Код товара: 10082956

Дата обновления: 28.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка NXH160T120L2Q2F2S1G , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание NXH160T120L2Q2F2S1G

ECCN	EAR99
Упаковка	Tray

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← NJVMJD32T4G C322C569D2G5TA →